Според съобщения в чуждестранни медии, инженери от Института за електронни информационни технологии (Leti), дъщерно дружество на Френската агенция за атомна енергия (CEA), твърдят, че новият им метод за производство на микро светодиоди ще революционизира производството на дисплеи с висока производителност, с ток LCD дисплеи и отлично качество на изображението и енергийна ефективност в сравнение с органичните светодиоди (OLED).
Francois Templier, директор на маркетинговата стратегия на Leti Photonics, наскоро представи нов производствен процес, който съчетава полупроводници с излъчващи светлина полупроводници със силициево-базирани драйверни схеми на Международната асоциация за информационно показване (SID) седмица в Сан Хосе, Калифорния.
Разработването на големи дисплеи, които изискват по-висока резолюция на изображението, означава, че са необходими по-бързи електронни устройства за задвижване на всички типове дисплеи, включително новото търговско Micro, което включва милиони отделни пикселни емитери. LED формат и други продукти.
Въпреки това, съществуващите схеми на задвижване на базата на тънкослойни транзисторни (TFT) активни матрични конструкции не осигуряват необходимите изисквания за ток и скорост. Новият метод, разработен от Leti, произвежда високопроизводителен GaN Micro LED дисплей, задвижван от CMOS с опростен процес на прехвърляне, който елиминира необходимостта от конвенционална TFT платка. Червените, зелените и сините микро-светодиоди са подредени директно върху микро-CMOS веригата преди прехвърлянето на всяка единица към проста приемна подложка, а светлинните излъчватели и платката са едновременно произведени на вафлена скала на една полупроводникова обработваща линия.
